Дослідники Корейського передового інституту науки і технологій (KAIST) у Південній Кореї розробили новий тип пам’яті зі зміною фази, який не має недоліків попередніх ітерацій, повідомляє Tech Spot.
Пам’ять зі зміною фази, або PCM (phase change memory) працює шляхом переходу між двома фізичними станами: кристалізованим (із низьким опором) та аморфним (вз високим опором). Вважайте це оптимальним поєднанням DRAM і флеш-пам’яті NAND.
DRAM є швидкою, але волатільною, тобто дані, що зберігаються в ній, зникають у разі припинення живлення (наприклад, коли ви вимикаєте комп’ютер). Флеш-пам’ять NAND, як і те, що використовується в SSD, може зберігати дані навіть при відключенні живлення, але значно повільніше, ніж DRAM.
PCM є швидким і не волатільним, але традиційно був дорогим у виробництві й енергоємним (тепло потрібне, щоб розплавити фазовий матеріал до аморфного стану, що перешкоджає енергоефективності).
Попередні зусилля щодо вирішення проблеми високого енергоспоживання зосереджувалися на зменшенні фізичного розміру всього пристрою за допомогою передових методів літографії. Покращення були номінальними, а збільшення вартості та складності, пов’язані з виготовленням на меншій техніці, не були виправданими.
Південнокорейські дослідники розробили метод зменшення компонентів, які безпосередньо беруть участь у процесі зміни фази, щоб створити нанонитку зі змінною фазою.
Новий підхід скорочує енергоспоживання у 15 разів порівняно із традиційною пам’яттю зі зміною фази, виготовленою за допомогою дорогих матеріалів для літографії, а також є набагато дешевшим у виробництві.
Нова пам’ять зі зміною фази зберігає багато таких характеристик традиційної пам’яті: висока швидкість, високий коефіцієнт увімкнення/вимкнення, невеликі варіації та властивості багаторівневої пам’яті.
Дослідники очікують, що результати їхньої роботи стануть основою для майбутньої електронної інженерії та можуть принести користь програмам, нейроморфним обчислювальним системам, периферійним процесорам та обчислювальним системам пам’яті.
Дослідження команди було опубліковано в журналі Nature на початку цього місяця у статті під назвою Phase-Change Memory via Phase-Changeable Self-Confined Nano-Filament.
Раніше ми повідомляли, що TSMC спільно із вченими Тайванського науково-дослідного інституту промислових технологій продемонстрували спільно розроблену пам’ять SOT MRAM.
Новий накопичувач призначений для обчислень у пам’яті та використання як кеш-пам’яті високого рівня.
Нова пам’ять швидша за DRAM і зберігає дані навіть після вимкнення живлення. Вона призначена для заміни пам’яті STT-MRAM і споживає у 100 разів менше енергії під час роботи.
Підписуйтеся на ProIT у Telegram, щоб не пропустити жодної публікації!
